3d ic 文章進(jìn)入3d ic技術(shù)社區(qū)

Neo Semiconductor將IGZO添加到3D DRAM設(shè)計(jì)中

存儲設(shè)備研發(fā)公司Neo Semiconductor Inc.（加利福尼亞州圣何塞）推出了其3D-X-DRAM技術(shù)的銦-鎵-鋅-氧化物（IGZO）變體。3D-X-DRAM 于 2023 年首次發(fā)布。Neo 表示，它已經(jīng)開發(fā)了一個(gè)晶體管、一個(gè)電容器（1T1C）和三個(gè)晶體管、零電容器（3T0C） X-DRAM 單元，這些單元是可堆疊的。該公司表示，TCAD 仿真預(yù)測該技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn) 10ns 的讀/寫速度和超過 450 秒的保持時(shí)間，芯片容量高達(dá) 512Gbit。這些設(shè)計(jì)的測試芯片預(yù)計(jì)將于 2026 年推出
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3D打印高性能射頻傳感器

中國的研究人員開發(fā)了一種開創(chuàng)性的方法，可以為射頻傳感器構(gòu)建分辨率低于 10 微米的高縱橫比 3D 微結(jié)構(gòu)。該技術(shù)以 1：4 的寬高比實(shí)現(xiàn)了深溝槽，同時(shí)還實(shí)現(xiàn)了對共振特性的精確控制并顯著提高了性能。這種混合技術(shù)不僅提高了 RF 超結(jié)構(gòu)的品質(zhì)因數(shù) （Q 因子）和頻率可調(diào)性，而且還將器件占用空間減少了多達(dá) 45%。這為傳感、MEMS 和 RF 超材料領(lǐng)域的下一代應(yīng)用鋪平了道路。電子束光刻和納米壓印等傳統(tǒng)光刻技術(shù)難以滿足對超精細(xì)、高縱橫比結(jié)構(gòu)的需求。厚度控制不佳、側(cè)壁不均勻和材料限制限制了性能和可擴(kuò)展性。該技術(shù)
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閃迪提議HBF取代HBM，在邊緣實(shí)現(xiàn) AI

Sandisk Corp. 正在尋求 3D-NAND 閃存的創(chuàng)新，該公司聲稱該創(chuàng)新可以取代基于 DRAM 的 HBM（高帶寬內(nèi)存）用于 AI 推理應(yīng)用。當(dāng) Sandisk 于 2025 年 2 月從數(shù)據(jù)存儲公司 Western Digital 分拆出來時(shí)，該公司表示，它打算在提供閃存產(chǎn)品的同時(shí)追求新興顛覆性內(nèi)存技術(shù)的開發(fā)。在 2 月 11 日舉行的 Sandisk 投資者日上，即分拆前不久，即將上任的內(nèi)存技術(shù)高級副總裁 Alper Ilkbahar 介紹了高帶寬閃存以及他稱之為 3D 矩陣內(nèi)存的東西。在同
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EiceDRIVER? 650V+/-4A高壓側(cè)柵極驅(qū)動器1ED21x7系列

英飛凌的新一代EiceDRIVER? 1ED21x7x 650V、+/-4A柵極驅(qū)動器IC與其他產(chǎn)品相比，提供了一種更穩(wěn)健、更具性價(jià)比的解決方案。1ED21x7x是高電壓、大電流和高速柵極驅(qū)動器，可用于Si/SiC功率MOSFET和IGBT開關(guān)，設(shè)計(jì)采用英飛凌的絕緣體上硅（SOI）技術(shù)。1ED21x7x具有出色的堅(jiān)固性和抗噪能力，能夠在負(fù)瞬態(tài)電壓高達(dá)-100V時(shí)保持工作邏輯穩(wěn)定?？捎糜诟邏簜?cè)或低壓側(cè)功率管驅(qū)動。1ED21x7x系列非常適合驅(qū)動多個(gè)開關(guān)并聯(lián)應(yīng)用，例如輕型電動汽車?；?ED21x7x
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新型高密度、高帶寬3D DRAM問世

3D DRAM 將成為未來內(nèi)存市場的重要競爭者。
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打破 BMS IC 的復(fù)雜性

電池管理系統(tǒng) （BMS） IC 是一個(gè)相對復(fù)雜的系統(tǒng)。與大多數(shù)電源管理 IC 不同，它集成了許多相互依賴的功能，這些功能必須準(zhǔn)確、無縫、和諧地工作，才能提供功能齊全的 BMS。在任何電池供電的設(shè)備中，BMS 都是最關(guān)鍵和最敏感的組件之一，通常是最重要的。鋰離子電池雖然功能強(qiáng)大，但高度敏感，如果處理不當(dāng)可能會帶來安全風(fēng)險(xiǎn)。保養(yǎng)不當(dāng)也會顯著縮短它們的使用壽命，導(dǎo)致容量減少，甚至使電池?zé)o法使用。BMS IC 是負(fù)責(zé)確保電池組運(yùn)行狀況、報(bào)告其狀態(tài)和保持最佳性能的關(guān)鍵元件 - 無論是獨(dú)立還是與系統(tǒng)處理器協(xié)作。&nb
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紫光國微2.5D/3D先進(jìn)封裝項(xiàng)目將擇機(jī)啟動

日前，紫光國微在投資者互動平臺透露，公司在無錫建設(shè)的高可靠性芯片封裝測試項(xiàng)目已于2024年6月產(chǎn)線通線，現(xiàn)正在推動量產(chǎn)產(chǎn)品的上量和更多新產(chǎn)品的導(dǎo)入工作，2.5D/3D等先進(jìn)封裝將會根據(jù)產(chǎn)線運(yùn)行情況擇機(jī)啟動。據(jù)了解，無錫紫光集電高可靠性芯片封裝測試項(xiàng)目是紫光集團(tuán)在芯片制造領(lǐng)域的重點(diǎn)布局項(xiàng)目，也是紫光國微在高可靠芯片領(lǐng)域的重要產(chǎn)業(yè)鏈延伸。擬建設(shè)小批量、多品種智能信息高質(zhì)量可靠性標(biāo)準(zhǔn)塑料封裝和陶瓷封裝生產(chǎn)線，對保障高可靠芯片的產(chǎn)業(yè)鏈穩(wěn)定和安全具有重要作用。
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國際最新研究將3D NAND深孔蝕刻速度提升一倍

據(jù)媒體報(bào)道，近日，研究人員發(fā)現(xiàn)了一種使用先進(jìn)的等離子工藝在3D NAND閃存中蝕刻深孔的更快、更高效的方法。通過調(diào)整化學(xué)成分，將蝕刻速度提高了一倍，提高了精度，為更密集、更大容量的內(nèi)存存儲奠定了基礎(chǔ)。這項(xiàng)研究是由來自Lam Research、科羅拉多大學(xué)博爾德分校和美國能源部普林斯頓等離子體物理實(shí)驗(yàn)室（PPPL）的科學(xué)家通過模擬和實(shí)驗(yàn)進(jìn)行的。根據(jù)報(bào)道，前PPPL研究員、現(xiàn)就職于Lam Research的Yuri Barsukov表示，使用等離子體中發(fā)現(xiàn)的帶電粒子是創(chuàng)建微電子學(xué)所需的非常小但很深的圓孔的最簡
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李飛飛對計(jì)算機(jī)視覺的愿景：World Labs 正為機(jī)器提供 3D 空間智能

斯坦福大學(xué)教授李飛飛已經(jīng)在 AI 歷史上贏得了自己的地位。她在深度學(xué)習(xí)革命中發(fā)揮了重要作用，多年來努力創(chuàng)建 ImageNet 數(shù)據(jù)集和競賽，挑戰(zhàn) AI 系統(tǒng)識別 1000 個(gè)類別的物體和動物。2012 年，一個(gè)名為 AlexNet 的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)在 AI 研究界引起了震動，它的性能遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過了所有其他類型的模型，并贏得了 ImageNet 比賽。從那時(shí)起，神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)開始騰飛，由互聯(lián)網(wǎng)上現(xiàn)在提供的大量免費(fèi)訓(xùn)練數(shù)據(jù)和提供前所未有的計(jì)算能力的 GPU 提供支持。在 ImageNe
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谷歌DeepMind發(fā)布Genie 2模型可一鍵生成超逼真3D互動世界

12月5日消息，美國當(dāng)?shù)貢r(shí)間周三，谷歌旗下人工智能研究機(jī)構(gòu)DeepMind推出了一款新模型，能夠創(chuàng)造出“無窮無盡”且各具特色的3D世界。這款模型名為Genie 2，是DeepMind在今年早些時(shí)候推出的Genie模型的升級版。僅憑一張圖片和一段文字描述，例如“一個(gè)可愛的機(jī)器人置身于茂密的森林中”，Genie 2就能構(gòu)建出一個(gè)交互式的實(shí)時(shí)場景。在這方面，它與李飛飛創(chuàng)立的World Labs以及以色列新興企業(yè)Decart所開發(fā)的模型有著異曲同工之妙。DeepMind宣稱，Genie 2能夠生成“豐富多樣的3D
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Teledyne推出用于在線3D測量和檢測的Z-Trak 3D Apps Studio軟件工具

Teledyne DALSA推出在線3D機(jī)器視覺應(yīng)用開發(fā)的軟件工具Z-Trak? 3D Apps Studio。該工具旨在與Teledyne DALSA的Z-Trak系列激光掃描儀配合使用，可簡化生產(chǎn)線上的3D測量和檢測任務(wù)。Z-Trak 3D Apps Studio能夠處理具有不同表面類型、尺寸和幾何特征的物體的3D掃描，是電動汽車（電動汽車電池、電機(jī)定子等）、汽車、電子、半導(dǎo)體、包裝、物流、金屬制造、木材等眾多行業(yè)工廠自動化應(yīng)用的理想之選。Z-Trak 3D Apps Studio具有簡化的工具，用于
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三星大幅減少未來生產(chǎn)NAND所需光刻膠使用量

據(jù)韓媒報(bào)道，稱三星電子在生產(chǎn) 3D NAND 閃存方面取得重大突破，在其中光刻工藝中大幅縮減光刻膠（PR）用量，降幅達(dá)到此前用量的一半。報(bào)道稱，此前每層涂層需要7-8cc的光刻膠，而三星通過精確控制涂布機(jī)的轉(zhuǎn)速（rpm）以及優(yōu)化PR涂層后的蝕刻工藝，現(xiàn)在只需4-4.5cc。此外，三星使用了更厚的氟化氪（KrF）光刻膠，通常情況下一次工藝形成1層涂層，而使用更厚的光刻膠，三星可以一次形成多個(gè)層，從而提高工藝效率，但同時(shí)也有均勻性問題。東進(jìn)半導(dǎo)體一直是三星KrF光刻膠的獨(dú)家供應(yīng)商，為三星第7代（11微米）和第
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官宣了！IC China 2024將于11月18日在北京舉行

11月1日下午，第二十一屆中國國際半導(dǎo)體博覽會（IC China 2024）新聞發(fā)布會在北京舉行。中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會副理事長兼秘書長張立、中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會執(zhí)行秘書長王俊杰、北京賽迪出版?zhèn)髅接邢薰究偨?jīng)理宋波出席會議，分別介紹IC China 2024的舉辦意義、籌備情況、特色亮點(diǎn)，并回答記者提問。發(fā)布會由中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會專職副理事長兼書記劉源超主持。發(fā)布會披露，IC China 2024由中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會主辦，北京賽迪出版?zhèn)髅接邢薰境修k，將于11月18日—20日在北京國家會議中心舉辦。自2003年
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臺積電OIP推3D IC設(shè)計(jì)新標(biāo)準(zhǔn)

臺積電OIP（開放創(chuàng)新平臺）于美西當(dāng)?shù)貢r(shí)間25日展開，除表揚(yáng)包括力旺、M31在內(nèi)之業(yè)者外，更計(jì)劃推出3Dblox新標(biāo)準(zhǔn)，進(jìn)一步加速3D IC生態(tài)系統(tǒng)創(chuàng)新，并提高EDA工具的通用性。臺積電設(shè)計(jì)構(gòu)建管理處負(fù)責(zé)人Dan Kochpatcharin表示，將與OIP合作伙伴一同突破3D IC架構(gòu)中的物理挑戰(zhàn)，幫助共同客戶利用最新的TSMC 3DFabric技術(shù)實(shí)現(xiàn)優(yōu)化的設(shè)計(jì)。臺積電OIP生態(tài)系統(tǒng)論壇今年由北美站起跑，與設(shè)計(jì)合作伙伴及客戶共同探討如何通過更深層次的合作，推動AI芯片設(shè)計(jì)的創(chuàng)新。 Dan Kochpa
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倒計(jì)時(shí)5天！ICDIA-IC Show & AEIF 2024 蓄勢待發(fā)

（一）會議概況2024中國集成電路設(shè)計(jì)創(chuàng)新大會暨第四屆IC應(yīng)用展（ICDIA-IC Show）和第十一屆汽車電子創(chuàng)新大會（AEIF）暨汽車電子應(yīng)用展將于9月25-27日在無錫同期召開，兩會共設(shè)2場高峰論壇、8場專題分會（含1場供需對接+1場強(qiáng)芯發(fā)布），150場報(bào)告，6000+平米展區(qū)展示，200+展商展示IC創(chuàng)新成果與整機(jī)應(yīng)用，200+行業(yè)大咖，500+企業(yè)高管，5000+行業(yè)嘉賓參會。會議看點(diǎn)1、第十屆汽車電子創(chuàng)新大會（AEIF）概況2024 AEIF技術(shù)展覽規(guī)模將全面升級，聚焦大模型與AI算力、汽車電
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